Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT - moodulid > IXGN120N60A3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6460806

IXGN120N60A3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
10+
$23.033
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXGN120N60A3
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 200A 600V SOT-227B
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.IXGN120N60A3.pdf
    2.IXGN120N60A3.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    600V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    1.35V @ 15V, 100A
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-227B
  • Seeria
    GenX3™
  • Võimsus - maks
    595W
  • Pakett / kott
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC termistor
    No
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    24 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Cies) @ Vce
    14.8nF @ 25V
  • Sisend
    Standard
  • IGBT tüüp
    PT
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT Module PT Single 600V 200A 595W Chassis Mount SOT-227B
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    50µA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    200A
  • Konfiguratsioon
    Single
  • Baasosa number
    IXG*120N60

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXGN120N60A3" seotud tooted.
IXGN200N60A2

IXGN200N60A2

Kirjeldus: IGBT 600V 200A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGM40N60

IXGM40N60

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGN200N60B3

IXGN200N60B3

Kirjeldus: IGBT 300A 600V SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGN100N160A

IXGN100N160A

Kirjeldus: IGBT 200A 1600V SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGN200N170

IXGN200N170

Kirjeldus: IGBT

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGN200N60B

IXGN200N60B

Kirjeldus: IGBT FAST 600V 200A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGN320N60A3

IXGN320N60A3

Kirjeldus: IGBT 600V SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGN120N60A3D1

IXGN120N60A3D1

Kirjeldus: IGBT 200A 600V SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGM20N60A

IXGM20N60A

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGM40N60A

IXGM40N60A

Kirjeldus: IGBT LO VOLT 600V 75AMP TO-204AE

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGM25N100A

IXGM25N100A

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGN400N60A3

IXGN400N60A3

Kirjeldus: IGBT 400A 600V SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGM30N60

IXGM30N60

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGN200N60

IXGN200N60

Kirjeldus: IGBT 300A 600V SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGM20N60

IXGM20N60

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGN100N120

IXGN100N120

Kirjeldus: IGBT 160A 1200V SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGN200N60A

IXGN200N60A

Kirjeldus: IGBT 300A 600V SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGM40N60AL

IXGM40N60AL

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGN400N30A3

IXGN400N30A3

Kirjeldus: IGBT 300V SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGN100N170

IXGN100N170

Kirjeldus: IGBT 1700V 160A GENX3 SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.