Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IXKF40N60SCD1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4553642

IXKF40N60SCD1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
25+
$18.85
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXKF40N60SCD1
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXKF40N60SCD1.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.9V @ 3mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    ISOPLUS i4-PAC™
  • Seeria
    CoolMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    70 mOhm @ 25A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    -
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    i4-Pac™-5 (3 Leads)
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    250nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    Super Junction
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    600V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 600V 41A (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    41A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXKF40N60SCD1" seotud tooted.
IXKH47N60C

IXKH47N60C

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXKH30N60C5

IXKH30N60C5

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXKK85N60C

IXKK85N60C

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 85A TO-264

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXKC25N80C

IXKC25N80C

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXK611S1T/R

IXK611S1T/R

Kirjeldus: IC DRIVER HALF BRIDGE GATE 8SOIC

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXKN40N60C

IXKN40N60C

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXKC20N60C

IXKC20N60C

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXKC15N60C5

IXKC15N60C5

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXKH70N60C5

IXKH70N60C5

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXK611P1

IXK611P1

Kirjeldus: IC DRIVER HALF BRIDGE GATE 8DIP

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXKG25N80C

IXKG25N80C

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 25A ISO264

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXKH35N60C5

IXKH35N60C5

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXKC19N60C5

IXKC19N60C5

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXKC40N60C

IXKC40N60C

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 28A ISOPLUS220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXKC13N80C

IXKC13N80C

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXKC23N60C5

IXKC23N60C5

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXKN45N80C

IXKN45N80C

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXKH20N60C5

IXKH20N60C5

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXKH24N60C5

IXKH24N60C5

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 24A TO247AD

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXK611S1

IXK611S1

Kirjeldus: IC DRIVER HALF BRIDGE GATE 8SOIC

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.