Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IXTA180N085T
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
120812IXTA180N085T piltIXYS Corporation

IXTA180N085T

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXTA180N085T
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 85V 180A TO-263
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXTA180N085T.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-263 (IXTA)
  • Seeria
    TrenchMV™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.5 mOhm @ 25A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    430W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    7500pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    170nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    85V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 85V 180A (Tc) 430W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    180A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXTA180N085T" seotud tooted.
IXTA160N10T

IXTA160N10T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 160A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA180N10T7

IXTA180N10T7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA15P15T

IXTA15P15T

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 15A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA160N04T2

IXTA160N04T2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA170N075T2

IXTA170N075T2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 170A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA1N100P

IXTA1N100P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA160N10T7

IXTA160N10T7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA182N055T7

IXTA182N055T7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 182A TO-263-7

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA1N170DHV

IXTA1N170DHV

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA160N075T

IXTA160N075T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 160A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA1N100

IXTA1N100

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA160N075T7

IXTA160N075T7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 160A TO-263-7

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA182N055T

IXTA182N055T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 182A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA180N055T

IXTA180N055T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 180A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA16N50P

IXTA16N50P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA1N120P

IXTA1N120P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA18P10T

IXTA18P10T

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 18A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA160N085T

IXTA160N085T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 85V 160A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA180N085T7

IXTA180N085T7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 85V 180A TO-263-7

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTA180N10T

IXTA180N10T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 180A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.