Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IXTH30N25
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3038514IXTH30N25 piltIXYS Corporation

IXTH30N25

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
30+
$11.318
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXTH30N25
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 250V 30A TO-247
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXTH30N25.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247 (IXTH)
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    75 mOhm @ 15A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    200W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    3950pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    136nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    250V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 250V 30A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXTH30N25" seotud tooted.
IXTH260N055T2

IXTH260N055T2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 260A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH300N04T2

IXTH300N04T2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 300A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH2N170D2

IXTH2N170D2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1700V 2A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH26N60P

IXTH26N60P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 26A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH30N60P

IXTH30N60P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 30A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH30N50L

IXTH30N50L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH270N04T4

IXTH270N04T4

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 270A

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH2R4N120P

IXTH2R4N120P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH2N150L

IXTH2N150L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1500V 2A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH30N60L2

IXTH30N60L2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 30A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH30N50P

IXTH30N50P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH34N65X2

IXTH34N65X2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 34A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH30N50

IXTH30N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH280N055T

IXTH280N055T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 280A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH32N65X

IXTH32N65X

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 32A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH26P20P

IXTH26P20P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 200V 26A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH340N04T4

IXTH340N04T4

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 340A

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH30N50L2

IXTH30N50L2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH2N300P3HV

IXTH2N300P3HV

Kirjeldus: MOSFET N-CH 3000V 2A TO247HV

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTH32P20T

IXTH32P20T

Kirjeldus: MOSFET P-CH 200V 32A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.