Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IXTM67N10
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
617581

IXTM67N10

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXTM67N10
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    POWER MOSFET TO-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXTM67N10.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 4mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-204AE
  • Seeria
    GigaMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 33.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    300W (Tc)
  • Pakett / kott
    TO-204AE
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    4500pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    260nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 67A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    67A (Tc)

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXTM67N10" seotud tooted.
IXTM5N100

IXTM5N100

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTM15N60

IXTM15N60

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTM1630

IXTM1630

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN170P10P

IXTN170P10P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 170A SOT227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTM21N50L

IXTM21N50L

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTM6N90A

IXTM6N90A

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTM1712

IXTM1712

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN102N65X2

IXTN102N65X2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTM5N100A

IXTM5N100A

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN120N25

IXTN120N25

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTM35N30

IXTM35N30

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN120P20T

IXTN120P20T

Kirjeldus: MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTM9226

IXTM9226

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN200N10T

IXTN200N10T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTM24N50L

IXTM24N50L

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN17N120L

IXTN17N120L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTM40N30

IXTM40N30

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN110N20L2

IXTN110N20L2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN200N10L2

IXTN200N10L2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTM50N20

IXTM50N20

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.