Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IXTN210P10T
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2339388IXTN210P10T piltIXYS Corporation

IXTN210P10T

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
10+
$39.72
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXTN210P10T
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXTN210P10T.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±15V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-227B
  • Seeria
    TrenchP™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.5 mOhm @ 105A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    830W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    24 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    69500pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    740nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 100V 210A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    210A (Tc)

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXTN210P10T" seotud tooted.
IXTM9226

IXTM9226

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN110N20L2

IXTN110N20L2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN102N65X2

IXTN102N65X2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN40P50P

IXTN40P50P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 500V 40A SOT227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN120N25

IXTN120N25

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN17N120L

IXTN17N120L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTM6N90A

IXTM6N90A

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN36N50

IXTN36N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 36A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN200N10L2

IXTN200N10L2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN170P10P

IXTN170P10P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 170A SOT227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN22N100L

IXTN22N100L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN120P20T

IXTN120P20T

Kirjeldus: MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN30N100L

IXTN30N100L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN320N10T

IXTN320N10T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 320A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN550N055T2

IXTN550N055T2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN46N50L

IXTN46N50L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 46A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN240N075L2

IXTN240N075L2

Kirjeldus: MOSFET N-CH

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN21N100

IXTN21N100

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN200N10T

IXTN200N10T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTN32P60P

IXTN32P60P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 600V 32A SOT227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.