Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IXTP1N100P
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5240497IXTP1N100P piltIXYS Corporation

IXTP1N100P

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
50+
$1.811
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXTP1N100P
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 1000V 1A TO-220
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXTP1N100P.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 50µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-220AB
  • Seeria
    Polar™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15 Ohm @ 500mA, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    50W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-220-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    24 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    331pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15.5nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    1000V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 1000V 1A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    1A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXTP1N100P" seotud tooted.
IXTP200N055T2

IXTP200N055T2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 200A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTP1N80P

IXTP1N80P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 1A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTP182N055T

IXTP182N055T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 182A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTP170N075T2

IXTP170N075T2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 170A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTP1N120P

IXTP1N120P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 1A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTP1R6N100D2

IXTP1R6N100D2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTP180N055T

IXTP180N055T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 180A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTP1R4N60P

IXTP1R4N60P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTP180N085T

IXTP180N085T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 85V 180A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTP18P10T

IXTP18P10T

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 18A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTP18N60PM

IXTP18N60PM

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTP160N10T

IXTP160N10T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 160A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTP1R4N100P

IXTP1R4N100P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTP1N100

IXTP1N100

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-220AB

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTP1R6N50P

IXTP1R6N50P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTP16N50P

IXTP16N50P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTP1R6N50D2

IXTP1R6N50D2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTP1R4N120P

IXTP1R4N120P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTP180N10T

IXTP180N10T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 180A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTP1N80

IXTP1N80

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 750MA TO-220AB

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.