Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IXTT30N60L2
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4665860IXTT30N60L2 piltIXYS Corporation

IXTT30N60L2

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$16.57
30+
$13.935
120+
$12.805
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXTT30N60L2
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 600V 30A TO-268
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXTT30N60L2.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-268
  • Seeria
    Linear L2™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    240 mOhm @ 15A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    540W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    24 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    10700pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    335nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    600V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 600V 30A (Tc) 540W (Tc) Surface Mount TO-268
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXTT30N60L2" seotud tooted.
IXTT26N50P

IXTT26N50P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 26A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT30N50L

IXTT30N50L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT360N055T2

IXTT360N055T2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 360A TO268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT48P20P

IXTT48P20P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 200V 48A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT20N50D

IXTT20N50D

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 20A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT30N50L2

IXTT30N50L2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT30N60P

IXTT30N60P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT30N50P

IXTT30N50P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT2N170D2

IXTT2N170D2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT20P50P

IXTT20P50P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 500V 20A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT3N200P3HV

IXTT3N200P3HV

Kirjeldus: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT34N65X2HV

IXTT34N65X2HV

Kirjeldus: MOSFET N-CH

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT2N300P3HV

IXTT2N300P3HV

Kirjeldus: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT440N04T4HV

IXTT440N04T4HV

Kirjeldus: 40V/440A TRENCHT4 PWR MOSFET TO-

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT26N60P

IXTT26N60P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT40N50L2

IXTT40N50L2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 40A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT36P10

IXTT36P10

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 36A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT440N055T2

IXTT440N055T2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 440A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT24P20

IXTT24P20

Kirjeldus: MOSFET P-CH 200V 24A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT36N50P

IXTT36N50P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.