Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IXTT8P50
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2703908IXTT8P50 piltIXYS Corporation

IXTT8P50

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
30+
$6.86
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXTT8P50
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 500V 8A TO-268
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXTT8P50.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-268
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.2 Ohm @ 4A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    180W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    24 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    3400pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    130nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    500V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 500V 8A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-268
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXTT8P50" seotud tooted.
IXTU01N100D

IXTU01N100D

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT75N10L2

IXTT75N10L2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 75A TO268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTU05N100

IXTU05N100

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTU01N80

IXTU01N80

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTU05N120

IXTU05N120

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTU01N100

IXTU01N100

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTU06N120P

IXTU06N120P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT72N20

IXTT72N20

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 72A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT96N20P

IXTT96N20P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 96A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT88N30P

IXTT88N30P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 88A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT75N10

IXTT75N10

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 75A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT82N25P

IXTT82N25P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 82A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT80N20L

IXTT80N20L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 80A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTU02N50D

IXTU02N50D

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-251

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT96N15P

IXTT96N15P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 96A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT74N20P

IXTT74N20P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 74A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT90P10P

IXTT90P10P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 90A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT6N120

IXTT6N120

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT88N15

IXTT88N15

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 88A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT75N20L2

IXTT75N20L2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.