Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IXTU12N06T
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5703309IXTU12N06T piltIXYS Corporation

IXTU12N06T

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.61
75+
$1.288
150+
$1.127
525+
$0.874
1050+
$0.69
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXTU12N06T
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 60V 12A TO-251
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXTU12N06T.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 25µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-251
  • Seeria
    TrenchMV™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    85 mOhm @ 6A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    33W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    256pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3.4nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 12A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-251
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXTU12N06T" seotud tooted.
IXTU64N055T

IXTU64N055T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 64A TO-251

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTU2N80P

IXTU2N80P

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO-251

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTU06N120P

IXTU06N120P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTU01N100D

IXTU01N100D

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTU02N50D

IXTU02N50D

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-251

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTV03N400S

IXTV03N400S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 4000V .3A PLUS 220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTU44N10T

IXTU44N10T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 44A TO-251

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT96N15P

IXTT96N15P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 96A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTU01N80

IXTU01N80

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTU05N100

IXTU05N100

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTU08N100P

IXTU08N100P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTU50N085T

IXTU50N085T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 85V 50A TO-251

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTU55N075T

IXTU55N075T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 55A TO-251

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTU5N50P

IXTU5N50P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTU8N70X2

IXTU8N70X2

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTV02N250S

IXTV02N250S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 2500V .2A PLUS220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTU1R4N60P

IXTU1R4N60P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTT96N20P

IXTT96N20P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 96A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTU05N120

IXTU05N120

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTU01N100

IXTU01N100

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.