Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IXTY01N100
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
428637

IXTY01N100

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$2.21
70+
$1.783
140+
$1.604
560+
$1.248
1050+
$1.034
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXTY01N100
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXTY01N100.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 25µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-252AA
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    80 Ohm @ 100mA, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    25W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muud nimed
    490458
    IXTY01N100CT
    IXTY01N100CT-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    24 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    54pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.9nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    1000V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 1000V 100mA (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    100mA (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXTY01N100" seotud tooted.
IXTX60N50L2

IXTX60N50L2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 60A PLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTX5N250

IXTX5N250

Kirjeldus: MOSFET N-CH 2500V 5A PLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTY08N50D2

IXTY08N50D2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTX90N25L2

IXTX90N25L2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 90A PLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTY02N50D TRL

IXTY02N50D TRL

Kirjeldus: MOSFET N-CH

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTX90P20P

IXTX90P20P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 200V 90A PLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTX4N300P3HV

IXTX4N300P3HV

Kirjeldus: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTY02N120P

IXTY02N120P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTY01N100D

IXTY01N100D

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTY08N120P

IXTY08N120P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTX6N200P3HV

IXTX6N200P3HV

Kirjeldus: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTY06N120P

IXTY06N120P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTX550N055T2

IXTX550N055T2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 550A PLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTY08N100D2

IXTY08N100D2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTX46N50L

IXTX46N50L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 46A PLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTX8N150L

IXTX8N150L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1500V 8A PLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTY02N50D

IXTY02N50D

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTX600N04T2

IXTX600N04T2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTY08N100P

IXTY08N100P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTY01N80

IXTY01N80

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.