Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IXTY1R4N60P
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4366623

IXTY1R4N60P

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXTY1R4N60P
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXTY1R4N60P.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5.5V @ 25µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-252, (D-Pak)
  • Seeria
    PolarHV™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9 Ohm @ 700mA, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    50W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    140pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.2nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    600V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 600V 1.4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    1.4A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXTY1R4N60P" seotud tooted.
IXTY1N120P

IXTY1N120P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTY1R6N100D2

IXTY1R6N100D2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTY24N15T

IXTY24N15T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 24A TO-252

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTY26P10T

IXTY26P10T

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 26A TO-252

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTY1N80

IXTY1N80

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTY15N20T

IXTY15N20T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 15A TO-252

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTY15P15T

IXTY15P15T

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 15A TO-252

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTY1R4N120PHV

IXTY1R4N120PHV

Kirjeldus: MOSFET N-CH

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTY2N80P

IXTY2N80P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 2A TO-252AA

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTY1N100P

IXTY1N100P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTY2N65X2

IXTY2N65X2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-252

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTY1N80P

IXTY1N80P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 1A TO-252

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTY1R6N50D2

IXTY1R6N50D2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTY1R6N50P

IXTY1R6N50P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTY2N60P

IXTY2N60P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 2A D-PAK

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTY1R4N100P

IXTY1R4N100P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTY2N100P

IXTY2N100P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTY1R4N120P

IXTY1R4N120P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTY18P10T

IXTY18P10T

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 18A TO-252

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXTY1R4N60P TRL

IXTY1R4N60P TRL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.