Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT - moodulid > MII100-12A3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6895038

MII100-12A3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
6+
$68.623
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MII100-12A3
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 1200V 135A SOA/RBSOA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    MII100-12A3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    1200V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 75A
  • Pakkuja seadme pakett
    Y4-M5
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    560W
  • Pakett / kott
    Y4-M5
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC termistor
    No
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Cies) @ Vce
    5.5nF @ 25V
  • Sisend
    Standard
  • IGBT tüüp
    NPT
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 135A 560W Chassis Mount Y4-M5
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    5mA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    135A
  • Konfiguratsioon
    Half Bridge
  • Baasosa number
    MII

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "MII100-12A3" seotud tooted.
MG1275S-BA1MM

MG1275S-BA1MM

Kirjeldus: IGBT 1200V 105A 630W PKG S

Tootjad: Hamlin / Littelfuse
Laos
RFQ
FF300R12ME4PBOSA1

FF300R12ME4PBOSA1

Kirjeldus: MOD IGBT MED PWR ECONOD-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
MII300-12A4

MII300-12A4

Kirjeldus: MOD IGBT RBSOA 1200V 330A Y3-DCB

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
MII75-12A3

MII75-12A3

Kirjeldus: MOD IGBT RBSOA 1200V 90A Y4-M5

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
MII400-12E4

MII400-12E4

Kirjeldus: IGBT 1.2KV 420A MODULE

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
MII300-12E4

MII300-12E4

Kirjeldus: MOD IGBT NPT PHASE LEG Y3-LI

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
MII145-12A3

MII145-12A3

Kirjeldus: MOD IGBT RBSOA 1200V 160A Y4-M5

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
FZ400R12KE3B1HOSA1

FZ400R12KE3B1HOSA1

Kirjeldus: MOD IGBT MED PWR 62MM-2

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
APTGT150H170G

APTGT150H170G

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGF100A120TG

APTGF100A120TG

Kirjeldus: POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
MII200-12A4

MII200-12A4

Kirjeldus: MOD IGBT RBSOA 1200V 270A Y3-DCB

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
MII150-12A4

MII150-12A4

Kirjeldus: MOD IGBT RBSOA 1200V 180A Y3-DCB

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
PP600T120

PP600T120

Kirjeldus: IGBT POW-R-PAC 3PH 600A 1200V

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos
RFQ
DF160R12W2H3FB11BPSA1

DF160R12W2H3FB11BPSA1

Kirjeldus: MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
2ED300C17STROHSBPSA1

2ED300C17STROHSBPSA1

Kirjeldus: IGBT MODULE 1700V 30A

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
FP15R12W2T4BOMA1

FP15R12W2T4BOMA1

Kirjeldus: IGBT MODULE VCES 600V 22A

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
FF200R12KE3HOSA1

FF200R12KE3HOSA1

Kirjeldus: IGBT MODULE VCES 1200V 200A

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
APTGF30X60T3G

APTGF30X60T3G

Kirjeldus: IGBT MODULE NPT 2PH BRIDGE SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT580U60D4G

APTGT580U60D4G

Kirjeldus: IGBT 600V 760A 1600W D4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT300DU60G

APTGT300DU60G

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.