Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IXFH21N50F
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1840972IXFH21N50F piltIXYS RF

IXFH21N50F

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$13.63
30+
$11.175
120+
$10.084
510+
$8.449
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXFH21N50F
  • Tootja / bränd
    IXYS RF
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 500V 21A TO247
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXFH21N50F.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5.5V @ 4mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247 (IXFH)
  • Seeria
    HiPerRF™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    250 mOhm @ 10.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    300W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    14 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2600pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    77nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    500V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 500V 21A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXFH)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    21A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXFH21N50F" seotud tooted.
IXFH230N075T2

IXFH230N075T2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 230A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH20N100P

IXFH20N100P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 20A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH18N90P

IXFH18N90P

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH230N10T

IXFH230N10T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 230A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH20N60

IXFH20N60

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH20N60Q

IXFH20N60Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 20A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH20N50P3

IXFH20N50P3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 20A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH220N06T3

IXFH220N06T3

Kirjeldus: 60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH22N50P

IXFH22N50P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 22A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH22N60P3

IXFH22N60P3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 22A TO247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH22N65X2

IXFH22N65X2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 22A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH20N85X

IXFH20N85X

Kirjeldus: 850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH18N60X

IXFH18N60X

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 18A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH20N80Q

IXFH20N80Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 20A TO-247AD

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH22N55

IXFH22N55

Kirjeldus: MOSFET N-CH 550V 22A TO-247AD

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH220N20X3

IXFH220N20X3

Kirjeldus: 200V/220A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH20N80P

IXFH20N80P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 20A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH21N50

IXFH21N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 21A TO-247AD

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH22N60P

IXFH22N60P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 22A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH21N50Q

IXFH21N50Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 21A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.