Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integreeritud vooluringid (IC) > PMIC - väravadraiverid > IXZ631DF18N50
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6604345IXZ631DF18N50 piltIXYS RF

IXZ631DF18N50

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$52.45
20+
$49.046
40+
$45.36
100+
$42.525
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXZ631DF18N50
  • Tootja / bränd
    IXYS RF
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    500V 18A INTEGRATED POWER MOSFET
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXZ631DF18N50.pdf
  • Pinge - varustus
    8 V ~ 18 V
  • Pakkuja seadme pakett
    10-SMD
  • Seeria
    -
  • Tõusu / languse aeg (tüüp)
    3.4ns, 1.65ns
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    10-SMD, Flat Lead
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Juhtide arv
    1
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    14 Weeks
  • Logic Voltage - VIL, VIH
    0.8V, 3.5V
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    Non-Inverting
  • Kõrgsurvepinge - Max (Bootstrap)
    500V
  • Väravüüp
    N-Channel MOSFET
  • Juhitud konfiguratsioon
    Low-Side
  • Täpsem kirjeldus
    Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 10-SMD
  • Praegune - Peak väljund (allikas, valamu)
    95A, 95A
  • Kanali tüüp
    Single
  • California Prop 65
    Warning Information WARNING: This product can expose you to chemicals including Chemicals which is known to the State of California to cause cancer and birth defects or other reproductive harm. For more information go to www.P65warnings.ca.gov.

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXZ631DF18N50" seotud tooted.
IXZ318N50

IXZ318N50

Kirjeldus: RF MOSFET N-CHANNEL

Tootjad: IXYS RF
Laos
RFQ
IXZ210N50L2

IXZ210N50L2

Kirjeldus: RF MOSFET N-CHANNEL DE275

Tootjad: IXYS RF
Laos
RFQ
IXZR18N50B-00

IXZR18N50B-00

Kirjeldus: RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3

Tootjad: IXYS RF
Laos
RFQ
IXZ2210N50L2

IXZ2210N50L2

Kirjeldus: RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275

Tootjad: IXYS RF
Laos
RFQ
IXZ-2510

IXZ-2510

Kirjeldus: MEMS GYROSCOPE 2-AXIS 16QFN

Tootjad: InvenSense
Laos
RFQ
IXZR18N50A-00

IXZR18N50A-00

Kirjeldus: RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3

Tootjad: IXYS RF
Laos
RFQ
IXZR18N50

IXZR18N50

Kirjeldus: RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3

Tootjad: IXYS RF
Laos
RFQ
ISL89162FRTAZ-T

ISL89162FRTAZ-T

Kirjeldus: IC MOSFET DRIVER 2CH 6A 8TDFN

Tootjad: Intersil
Laos
RFQ
IXZ210N50L

IXZ210N50L

Kirjeldus: N-CHANNEL RF MOSFET 175MH

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXZR08N120B-00

IXZR08N120B-00

Kirjeldus: RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3

Tootjad: IXYS RF
Laos
RFQ
IXZ308N120

IXZ308N120

Kirjeldus: RF MOSFET N-CHANNEL DE375

Tootjad: IXYS
Laos
RFQ
IXZ631DF12N100

IXZ631DF12N100

Kirjeldus: IXZ631DF12N100 1000V 12A INTEGRA

Tootjad: IXYS RF
Laos
RFQ
IXZH10N50L2B

IXZH10N50L2B

Kirjeldus: RF MOSFET N-CHANNEL TO-247

Tootjad: IXYS RF
Laos
RFQ
IXZH10N50L2A

IXZH10N50L2A

Kirjeldus: RF MOSFET N-CHANNEL TO-247

Tootjad: IXYS RF
Laos
RFQ
IXZR16N60

IXZR16N60

Kirjeldus: RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3

Tootjad: IXYS RF
Laos
RFQ
IXZ316N60

IXZ316N60

Kirjeldus: RF MOSFET N-CHANNEL DE375

Tootjad: IXYS RF
Laos
RFQ
IXDF602SIA

IXDF602SIA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO

Tootjad: IXYS Integrated Circuits Division
Laos
RFQ
IXZR08N120A-00

IXZR08N120A-00

Kirjeldus: RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3

Tootjad: IXYS RF
Laos
RFQ
IXZR08N120

IXZR08N120

Kirjeldus: RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3

Tootjad: IXYS RF
Laos
RFQ
UCC37325P

UCC37325P

Kirjeldus: IC DUAL HS PWR FET DRVR 8-DIP

Tootjad: Luminary Micro / Texas Instruments
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.