Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > BSF134N10NJ3GXUMA1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4626668BSF134N10NJ3GXUMA1 piltInternational Rectifier (Infineon Technologies)

BSF134N10NJ3GXUMA1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    BSF134N10NJ3GXUMA1
  • Tootja / bränd
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    BSF134N10NJ3GXUMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 40µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    MG-WDSON-2, CanPAK M™
  • Seeria
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13.4 mOhm @ 30A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.2W (Ta), 43W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    3-WDSON
  • Muud nimed
    BSF134N10NJ3 GCT
    BSF134N10NJ3 GCT-ND
    BSF134N10NJ3GXUMA1CT
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2300pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    6V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 9A (Ta), 40A (Tc) 2.2W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    9A (Ta), 40A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Saatmine
Makse
Järgnev on "BSF134N10NJ3GXUMA1" seotud tooted.
IPA60R180C7XKSA1

IPA60R180C7XKSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V TO220-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
BSF450NE7NH3XUMA1

BSF450NE7NH3XUMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 5A 2WDSON

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
BSF083N03LQ G

BSF083N03LQ G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
BSF077N06NT3GXUMA1

BSF077N06NT3GXUMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SQJ465EP-T1_GE3

SQJ465EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 8A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BSF053N03LT G

BSF053N03LT G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
DMN3005LK3-13

DMN3005LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
SIR826DP-T1-GE3

SIR826DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BSF035NE2LQXUMA1

BSF035NE2LQXUMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 22A 2WDSON

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
BSF-HD

BSF-HD

Kirjeldus: 9V FEMALE SNAP 4-SIDED HVY-DUTY

Tootjad: MPD (Memory Protection Devices)
Laos
RFQ
STF12NK80Z

STF12NK80Z

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220FP

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
IRF3711STRLPBF

IRF3711STRLPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
BSF050N03LQ3GXUMA1

BSF050N03LQ3GXUMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SFR9014TF

SFR9014TF

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 5.3A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
BSF024N03LT3GXUMA1

BSF024N03LT3GXUMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
NVMFS5C430NWFAFT3G

NVMFS5C430NWFAFT3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 35A 185A 5DFN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
BSF030NE2LQXUMA1

BSF030NE2LQXUMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
BSF

BSF

Kirjeldus: 9V FEMALE SNAP 6-SIDED

Tootjad: MPD (Memory Protection Devices)
Laos
RFQ
BSF045N03MQ3 G

BSF045N03MQ3 G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
FDP8N50NZ

FDP8N50NZ

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.