Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IAUT260N10S5N019ATMA1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
966458IAUT260N10S5N019ATMA1 piltInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IAUT260N10S5N019ATMA1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2000+
$2.473
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IAUT260N10S5N019ATMA1
  • Tootja / bränd
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET_(75V,120V(
  • Lead Free status / RoHS staatus
    RoHS vastavus
  • Andmelehed
    IAUT260N10S5N019ATMA1.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.8V @ 210µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PG-HSOF-8-1
  • Seeria
    OptiMOS™-5
  • RoHS staatus
    RoHS Compliant
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.9 mOhm @ 100A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    300W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-PowerSFN
  • Muud nimed
    IAUT260N10S5N019
    IAUT260N10S5N019ATMA1-ND
    IAUT260N10S5N019ATMA1TR
    IAUT260N10S5N019TR
    IAUT260N10S5N019TR-ND
    SP001676336
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    11830pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    166nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    6V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 260A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    260A (Tc)

ABLIC and Infineon's innovative IC technology will driv...

2025/01/20

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Saatmine
Makse
Järgnev on "IAUT260N10S5N019ATMA1" seotud tooted.
BUK7616-55A,118

BUK7616-55A,118

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 65.7A D2PAK

Tootjad: NXP Semiconductors / Freescale
Laos
RFQ
SISA10DN-T1-GE3

SISA10DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FDZ191P

FDZ191P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH50N50

FDH50N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 48A TO-247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
STE30NK90Z

STE30NK90Z

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 28A ISOTOP

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
AO4202_120

AO4202_120

Kirjeldus: MOSFET N-CH 8SOIC

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
IAUT165N08S5N029ATMA2

IAUT165N08S5N029ATMA2

Kirjeldus: 80V 165A 2.9MOHM TOLL

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IAUT300N08S5N012ATMA2

IAUT300N08S5N012ATMA2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 120V 8HSOF

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
FDP032N08-F102

FDP032N08-F102

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 75V 120A TO220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
TSM60NB1R4CP ROG

TSM60NB1R4CP ROG

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO252

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
FDP26N40

FDP26N40

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 26A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
RF4E080GNTR

RF4E080GNTR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
IAUT150N10S5N035ATMA1

IAUT150N10S5N035ATMA1

Kirjeldus: 100V 150A 3.5MOHM TOLL

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPC045N10L3X1SA1

IPC045N10L3X1SA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRLB4132PBF

IRLB4132PBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 78A TO220

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IAUT240N08S5N019ATMA1

IAUT240N08S5N019ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 8HSOF

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
HUF75329P3

HUF75329P3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 49A TO-220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IPC100N04S51R9ATMA1

IPC100N04S51R9ATMA1

Kirjeldus: N-CHANNEL_30/40V

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IAUT300N10S5N015ATMA1

IAUT300N10S5N015ATMA1

Kirjeldus: MOSFET_(75V,120V(

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
STP8NS25

STP8NS25

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 8A TO-220

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.