Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IPB015N08N5ATMA1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6512620IPB015N08N5ATMA1 piltInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB015N08N5ATMA1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$3.676
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IPB015N08N5ATMA1
  • Tootja / bränd
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IPB015N08N5ATMA1.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.8V @ 279µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PG-TO263-7
  • Seeria
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5 mOhm @ 100A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    375W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Muud nimed
    IPB015N08N5ATMA1-ND
    IPB015N08N5ATMA1TR
    SP001226034
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    16900pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    222nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    6V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    80V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 80V 180A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    180A (Tc)

ABLIC and Infineon's innovative IC technology will driv...

2025/01/20

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Saatmine
Makse
Järgnev on "IPB015N08N5ATMA1" seotud tooted.
IPB015N04NGATMA1

IPB015N04NGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB016N06L3GATMA1

IPB016N06L3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB014N06NATMA1

IPB014N06NATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB020N10N5LFATMA1

IPB020N10N5LFATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB011N04NGATMA1

IPB011N04NGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB020N10N5ATMA1

IPB020N10N5ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB019N08N3GATMA1

IPB019N08N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB017N10N5LFATMA1

IPB017N10N5LFATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V D2PAK-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB011N04LGATMA1

IPB011N04LGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB019N06L3GATMA1

IPB019N06L3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB020N08N5ATMA1

IPB020N08N5ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB020NE7N3GATMA1

IPB020NE7N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB015N04LGATMA1

IPB015N04LGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB021N06N3GATMA1

IPB021N06N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB009N03LGATMA1

IPB009N03LGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB017N06N3GATMA1

IPB017N06N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB017N10N5ATMA1

IPB017N10N5ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB017N08N5ATMA1

IPB017N08N5ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB020N04NGATMA1

IPB020N04NGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB010N06NATMA1

IPB010N06NATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.