Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IPB025N08N3GATMA1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5739912IPB025N08N3GATMA1 piltInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB025N08N3GATMA1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$6.44
10+
$5.748
100+
$4.714
500+
$3.817
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IPB025N08N3GATMA1
  • Tootja / bränd
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IPB025N08N3GATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 270µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D²PAK (TO-263AB)
  • Seeria
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.5 mOhm @ 100A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    300W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muud nimed
    IPB025N08N3 GCT
    IPB025N08N3 GCT-ND
    IPB025N08N3GATMA1CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    14200pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    206nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    6V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    80V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 80V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Saatmine
Makse
Järgnev on "IPB025N08N3GATMA1" seotud tooted.
IPB022N04LGATMA1

IPB022N04LGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB023N06N3GATMA1

IPB023N06N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB020N08N5ATMA1

IPB020N08N5ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB025N10N3GATMA1

IPB025N10N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB030N08N3GATMA1

IPB030N08N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB027N10N3GATMA1

IPB027N10N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB020N10N5LFATMA1

IPB020N10N5LFATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB029N06N3GATMA1

IPB029N06N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB024N08N5ATMA1

IPB024N08N5ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB027N10N5ATMA1

IPB027N10N5ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB026N06NATMA1

IPB026N06NATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB025N10N3GE8187ATMA1

IPB025N10N3GE8187ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB029N06N3GE8187ATMA1

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB020NE7N3GATMA1

IPB020NE7N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB031NE7N3GATMA1

IPB031NE7N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB021N06N3GATMA1

IPB021N06N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB024N10N5ATMA1

IPB024N10N5ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB020N10N5ATMA1

IPB020N10N5ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB023N04NGATMA1

IPB023N04NGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB031N08N5ATMA1

IPB031N08N5ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.