Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IPB090N06N3GATMA1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
86841IPB090N06N3GATMA1 piltInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB090N06N3GATMA1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$0.539
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IPB090N06N3GATMA1
  • Tootja / bränd
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IPB090N06N3GATMA1.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 34µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D²PAK (TO-263AB)
  • Seeria
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9 mOhm @ 50A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    71W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muud nimed
    IPB090N06N3 G
    IPB090N06N3 G-ND
    IPB090N06N3 GTR-ND
    IPB090N06N3G
    IPB090N06N3GATMA1TR
    SP000398042
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2900pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    36nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

ABLIC and Infineon's innovative IC technology will driv...

2025/01/20

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Saatmine
Makse
Järgnev on "IPB090N06N3GATMA1" seotud tooted.
IPB08CN10N G

IPB08CN10N G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB080N03LGATMA1

IPB080N03LGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB100N04S204ATMA4

IPB100N04S204ATMA4

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB080N06N G

IPB080N06N G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB075N04LGATMA1

IPB075N04LGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB083N10N3GATMA1

IPB083N10N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB100N04S204ATMA1

IPB100N04S204ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB100N04S2L03ATMA1

IPB100N04S2L03ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB081N06L3GATMA1

IPB081N06L3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB09N03LA

IPB09N03LA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB100N04S2L03ATMA2

IPB100N04S2L03ATMA2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB09N03LA G

IPB09N03LA G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB096N03LGATMA1

IPB096N03LGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB083N15N5LFATMA1

IPB083N15N5LFATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB085N06L G

IPB085N06L G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB09N03LAT

IPB09N03LAT

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB073N15N5ATMA1

IPB073N15N5ATMA1

Kirjeldus: MV POWER MOS

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB08CNE8N G

IPB08CNE8N G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB097N08N3 G

IPB097N08N3 G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB093N04LGATMA1

IPB093N04LGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.