Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IPB100N10S305ATMA1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1353477IPB100N10S305ATMA1 piltInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB100N10S305ATMA1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$2.021
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IPB100N10S305ATMA1
  • Tootja / bränd
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IPB100N10S305ATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 240µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PG-TO263-3-2
  • Seeria
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.8 mOhm @ 100A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    300W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muud nimed
    IPB100N10S3-05
    IPB100N10S3-05-ND
    IPB100N10S3-05TR
    IPB100N10S3-05TR-ND
    IPB100N10S305
    IPB100N10S305ATMA1TR
    SP000261243
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    11570pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    176nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Saatmine
Makse
Järgnev on "IPB100N10S305ATMA1" seotud tooted.
IPB108N15N3GATMA1

IPB108N15N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB100N08S207ATMA1

IPB100N08S207ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB100N12S305ATMA1

IPB100N12S305ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB100N06S3L-04

IPB100N06S3L-04

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 100A TO-263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB107N20NAATMA1

IPB107N20NAATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB110N06L G

IPB110N06L G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 78A TO-263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB100N06S3L-03

IPB100N06S3L-03

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB100N06S3-04

IPB100N06S3-04

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 100A TO-263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB10N03LB G

IPB10N03LB G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB107N20N3GATMA1

IPB107N20N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3

Tootjad: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB110N20N3LFATMA1

IPB110N20N3LFATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200 D2PAK-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB100N06S3-03

IPB100N06S3-03

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB100N06S205ATMA1

IPB100N06S205ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB114N03L G

IPB114N03L G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB100N08S2L07ATMA1

IPB100N08S2L07ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB100N06S205ATMA4

IPB100N06S205ATMA4

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB10N03LB

IPB10N03LB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB117N20NFDATMA1

IPB117N20NFDATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB100N06S2L05ATMA1

IPB100N06S2L05ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB100N06S2L05ATMA2

IPB100N06S2L05ATMA2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.