Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IPB120N06N G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6725503IPB120N06N G piltInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB120N06N G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IPB120N06N G
  • Tootja / bränd
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 60V 75A TO-263
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IPB120N06N G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 94µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D²PAK (TO-263AB)
  • Seeria
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.7 mOhm @ 75A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    158W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muud nimed
    IPB120N06NG
    IPB120N06NGINCT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2100pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    62nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 75A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    75A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Saatmine
Makse
Järgnev on "IPB120N06N G" seotud tooted.
IPB114N03L G

IPB114N03L G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB120N08S404ATMA1

IPB120N08S404ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB120N06S402ATMA1

IPB120N06S402ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB120N04S3-02

IPB120N04S3-02

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB120N10S405ATMA1

IPB120N10S405ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB120N06S402ATMA2

IPB120N06S402ATMA2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB120N04S404ATMA1

IPB120N04S404ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB120N04S402ATMA1

IPB120N04S402ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB120N06S4H1ATMA1

IPB120N06S4H1ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB11N03LA

IPB11N03LA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB120N08S403ATMA1

IPB120N08S403ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB117N20NFDATMA1

IPB117N20NFDATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB120N03S4L03ATMA1

IPB120N03S4L03ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB120N06S403ATMA1

IPB120N06S403ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB120N06S4H1ATMA2

IPB120N06S4H1ATMA2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB120N06S403ATMA2

IPB120N06S403ATMA2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB120N10S403ATMA1

IPB120N10S403ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB120N04S4L02ATMA1

IPB120N04S4L02ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB120N04S401ATMA1

IPB120N04S401ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB11N03LA G

IPB11N03LA G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.