Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IPB12CNE8N G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5943503IPB12CNE8N G piltInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB12CNE8N G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IPB12CNE8N G
  • Tootja / bränd
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IPB12CNE8N G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 83µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D²PAK (TO-263AB)
  • Seeria
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12.9 mOhm @ 67A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    125W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muud nimed
    IPB12CNE8N G-ND
    IPB12CNE8NG
    SP000096451
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    4340pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    64nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    85V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 85V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    67A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Saatmine
Makse
Järgnev on "IPB12CNE8N G" seotud tooted.
IPB120N06S4H1ATMA2

IPB120N06S4H1ATMA2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB156N22NFDATMA1

IPB156N22NFDATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 220V TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB13N03LB

IPB13N03LB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB120N08S404ATMA1

IPB120N08S404ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB120N06S4H1ATMA1

IPB120N06S4H1ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB120N10S403ATMA1

IPB120N10S403ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB136N08N3 G

IPB136N08N3 G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB120P04P404ATMA1

IPB120P04P404ATMA1

Kirjeldus: MOSFET P-CH TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB14N03LAT

IPB14N03LAT

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB13N03LB G

IPB13N03LB G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30A TO-263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB120N10S405ATMA1

IPB120N10S405ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB14N03LA

IPB14N03LA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB123N10N3GATMA1

IPB123N10N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB147N03LGATMA1

IPB147N03LGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB14N03LA G

IPB14N03LA G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB120N08S403ATMA1

IPB120N08S403ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB120P04P4L03ATMA1

IPB120P04P4L03ATMA1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB140N08S404ATMA1

IPB140N08S404ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB12CN10N G

IPB12CN10N G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB144N12N3GATMA1

IPB144N12N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.