Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IPB180N06S4H1ATMA1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6978537IPB180N06S4H1ATMA1 piltInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB180N06S4H1ATMA1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$1.437
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IPB180N06S4H1ATMA1
  • Tootja / bränd
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IPB180N06S4H1ATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 200µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PG-TO263-7-3
  • Seeria
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.7 mOhm @ 100A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    250W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Muud nimed
    IPB180N06S4-H1
    IPB180N06S4-H1-ND
    IPB180N06S4H1ATMA1TR
    SP000415562
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    21900pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    270nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    180A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Saatmine
Makse
Järgnev on "IPB180N06S4H1ATMA1" seotud tooted.
IPB180N10S403ATMA1

IPB180N10S403ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB200N15N3GATMA1

IPB200N15N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB180N08S402ATMA1

IPB180N08S402ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB180N03S4L01ATMA1

IPB180N03S4L01ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB180P04P4L02ATMA1

IPB180P04P4L02ATMA1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB180N04S4L01ATMA1

IPB180N04S4L01ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB180N04S4LH0ATMA1

IPB180N04S4LH0ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB22N03S4L15ATMA1

IPB22N03S4L15ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB16CN10N G

IPB16CN10N G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB200N25N3GATMA1

IPB200N25N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB180N10S402ATMA1

IPB180N10S402ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB180N04S4H0ATMA1

IPB180N04S4H0ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB230N06L3GATMA1

IPB230N06L3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB180N04S400ATMA1

IPB180N04S400ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB180N06S4H1ATMA2

IPB180N06S4H1ATMA2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB180P04P403ATMA1

IPB180P04P403ATMA1

Kirjeldus: MOSFET P-CH TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB17N25S3100ATMA1

IPB17N25S3100ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB180N04S401ATMA1

IPB180N04S401ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB180N04S302ATMA1

IPB180N04S302ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB180N03S4LH0ATMA1

IPB180N03S4LH0ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.