Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IPD053N06N3GBTMA1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5187973IPD053N06N3GBTMA1 piltInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPD053N06N3GBTMA1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IPD053N06N3GBTMA1
  • Tootja / bränd
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IPD053N06N3GBTMA1.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 58µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PG-TO252-3
  • Seeria
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.3 mOhm @ 90A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    115W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muud nimed
    IPD053N06N3 G
    IPD053N06N3 G-ND
    IPD053N06N3 GTR-ND
    IPD053N06N3GBTMA1TR
    SP000453318
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    6600pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    82nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 90A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    90A (Tc)

ABLIC and Infineon's innovative IC technology will driv...

2025/01/20

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Saatmine
Makse
Järgnev on "IPD053N06N3GBTMA1" seotud tooted.
IPD040N03LGBTMA1

IPD040N03LGBTMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD053N06NATMA1

IPD053N06NATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD068P03L3GATMA1

IPD068P03L3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD042P03L3GATMA1

IPD042P03L3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD050N10N5ATMA1

IPD050N10N5ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD060N03LGATMA1

IPD060N03LGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD048N06L3GBTMA1

IPD048N06L3GBTMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD04N03LA G

IPD04N03LA G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD04N03LB G

IPD04N03LB G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A TO-252

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD068N10N3GBTMA1

IPD068N10N3GBTMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD042P03L3GBTMA1

IPD042P03L3GBTMA1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD060N03LGBTMA1

IPD060N03LGBTMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD05N03LA G

IPD05N03LA G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD068N10N3GATMA1

IPD068N10N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 90A

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD053N08N3GBTMA1

IPD053N08N3GBTMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD053N08N3GATMA1

IPD053N08N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD05N03LB G

IPD05N03LB G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD050N03LGBTMA1

IPD050N03LGBTMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD046N08N5ATMA1

IPD046N08N5ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD050N03LGATMA1

IPD050N03LGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.