Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IPD082N10N3GBTMA1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4019165IPD082N10N3GBTMA1 piltInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPD082N10N3GBTMA1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IPD082N10N3GBTMA1
  • Tootja / bränd
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IPD082N10N3GBTMA1.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 75µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PG-TO252-3
  • Seeria
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.2 mOhm @ 73A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    125W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muud nimed
    IPD082N10N3 G
    IPD082N10N3 G-ND
    IPD082N10N3GBTMA1TR
    SP000485986
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    3980pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    55nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    6V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

ABLIC and Infineon's innovative IC technology will driv...

2025/01/20

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Saatmine
Makse
Järgnev on "IPD082N10N3GBTMA1" seotud tooted.
IPD079N06L3GBTMA1

IPD079N06L3GBTMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD06N03LB G

IPD06N03LB G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A TO-252

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD068N10N3GBTMA1

IPD068N10N3GBTMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD096N08N3GATMA1

IPD096N08N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 73A

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD075N03LGBTMA1

IPD075N03LGBTMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD088N06N3GBTMA1

IPD088N06N3GBTMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD09N03LB G

IPD09N03LB G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD09N03LA G

IPD09N03LA G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD090N03LGBTMA1

IPD090N03LGBTMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A TO252

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD1-02-D-GP

IPD1-02-D-GP

Kirjeldus: MINI-POWER CONNECTOR

Tootjad: Samtec, Inc.
Laos
RFQ
IPD090N03LGATMA1

IPD090N03LGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD068P03L3GATMA1

IPD068P03L3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD082N10N3GATMA1

IPD082N10N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD088N04LGBTMA1

IPD088N04LGBTMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD075N03LGATMA1

IPD075N03LGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD068N10N3GATMA1

IPD068N10N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 90A

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD096N08N3GBTMA1

IPD096N08N3GBTMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD06N03LA G

IPD06N03LA G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD068P03L3GBTMA1

IPD068P03L3GBTMA1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD1-02-D

IPD1-02-D

Kirjeldus: POWER HOUSING MINI MATE

Tootjad: Samtec, Inc.
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.