Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IPD122N10N3GBTMA1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5750611IPD122N10N3GBTMA1 piltInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPD122N10N3GBTMA1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IPD122N10N3GBTMA1
  • Tootja / bränd
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IPD122N10N3GBTMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 46µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PG-TO252-3
  • Seeria
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12.2 mOhm @ 46A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    94W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muud nimed
    IPD122N10N3 G
    IPD122N10N3 G-ND
    IPD122N10N3 GTR-ND
    IPD122N10N3G
    IPD122N10N3GBTMA1TR
    SP000485966
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2500pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    35nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    6V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 59A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    59A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Saatmine
Makse
Järgnev on "IPD122N10N3GBTMA1" seotud tooted.
IPD12CN10NGBUMA1

IPD12CN10NGBUMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD110N12N3GATMA1

IPD110N12N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD12CN10NGATMA1

IPD12CN10NGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD135N03LGXT

IPD135N03LGXT

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD135N03LGATMA1

IPD135N03LGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD100N06S403ATMA2

IPD100N06S403ATMA2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD110N12N3GBUMA1

IPD110N12N3GBUMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD135N03LGBTMA1

IPD135N03LGBTMA1

Kirjeldus: LV POWER MOS

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD10N03LA G

IPD10N03LA G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD135N08N3GATMA1

IPD135N08N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 45A

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD100N04S4L02ATMA1

IPD100N04S4L02ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL_30/40V

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD122N10N3GATMA1

IPD122N10N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 59A

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD100N06S403ATMA1

IPD100N06S403ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD12CNE8N G

IPD12CNE8N G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD105N03LGATMA1

IPD105N03LGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD135N08N3GBTMA1

IPD135N08N3GBTMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD127N06LGBTMA1

IPD127N06LGBTMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 50A TO-252

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD105N04LGBTMA1

IPD105N04LGBTMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD12N03LB G

IPD12N03LB G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30A TO-252

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD10N03LA

IPD10N03LA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.