Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IPD144N06NGBTMA1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4246891IPD144N06NGBTMA1 piltInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPD144N06NGBTMA1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IPD144N06NGBTMA1
  • Tootja / bränd
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IPD144N06NGBTMA1.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 80µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PG-TO252-3
  • Seeria
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.4 mOhm @ 50A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    136W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muud nimed
    IPD144N06N G
    IPD144N06N G-ND
    IPD144N06NGBTMA1TR
    IPD144N06NGINTR
    IPD144N06NGINTR-ND
    IPD144N06NGXT
    SP000203941
    SP000443738
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1900pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    54nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

ABLIC and Infineon's innovative IC technology will driv...

2025/01/20

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Saatmine
Makse
Järgnev on "IPD144N06NGBTMA1" seotud tooted.
IPD170N04NGBTMA1

IPD170N04NGBTMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD135N08N3GATMA1

IPD135N08N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 45A

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD16CN10N G

IPD16CN10N G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD12CN10NGATMA1

IPD12CN10NGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD15N06S2L64ATMA1

IPD15N06S2L64ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD135N03LGXT

IPD135N03LGXT

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD135N03LGATMA1

IPD135N03LGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD180N10N3GATMA1

IPD180N10N3GATMA1

Kirjeldus: MV POWER MOS

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD160N04LGBTMA1

IPD160N04LGBTMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD13N03LA G

IPD13N03LA G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD12N03LB G

IPD12N03LB G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30A TO-252

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD12CNE8N G

IPD12CNE8N G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD135N03LGBTMA1

IPD135N03LGBTMA1

Kirjeldus: LV POWER MOS

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD180N10N3GBTMA1

IPD180N10N3GBTMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD135N08N3GBTMA1

IPD135N08N3GBTMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD14N06S280ATMA1

IPD14N06S280ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD12CN10NGBUMA1

IPD12CN10NGBUMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD14N06S280ATMA2

IPD14N06S280ATMA2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD15N06S2L64ATMA2

IPD15N06S2L64ATMA2

Kirjeldus: N-CHANNEL_55/60V

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD16CNE8N G

IPD16CNE8N G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.