Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IPD80P03P4L07ATMA1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1622113IPD80P03P4L07ATMA1 piltInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPD80P03P4L07ATMA1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.645
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IPD80P03P4L07ATMA1
  • Tootja / bränd
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IPD80P03P4L07ATMA1.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 130µA
  • Vgs (max)
    +5V, -16V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PG-TO252-3
  • Seeria
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.8 mOhm @ 80A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    88W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muud nimed
    IPD80P03P4L-07
    IPD80P03P4L-07-ND
    IPD80P03P4L-07INTR
    IPD80P03P4L-07INTR-ND
    IPD80P03P4L07ATMA1TR
    SP000396296
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    5700pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    80nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 30V 80A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

ABLIC and Infineon's innovative IC technology will driv...

2025/01/20

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Saatmine
Makse
Järgnev on "IPD80P03P4L07ATMA1" seotud tooted.
IPD80R2K4P7ATMA1

IPD80R2K4P7ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD75N04S406ATMA1

IPD75N04S406ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3-313

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD800N06NGBTMA1

IPD800N06NGBTMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 16A TO-252

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD80R1K0CEBTMA1

IPD80R1K0CEBTMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD78CN10NGBUMA1

IPD78CN10NGBUMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD70R950CEAUMA1

IPD70R950CEAUMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD80R2K0P7ATMA1

IPD80R2K0P7ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD80R1K4CEBTMA1

IPD80R1K4CEBTMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD80R1K0CEATMA1

IPD80R1K0CEATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD80N04S306BATMA1

IPD80N04S306BATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL_30/40V

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD80R1K2P7ATMA1

IPD80R1K2P7ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD80R2K7C3AATMA1

IPD80R2K7C3AATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD78CN10NGATMA1

IPD78CN10NGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD70R600P7SAUMA1

IPD70R600P7SAUMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD70R900P7SAUMA1

IPD70R900P7SAUMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD80R280P7ATMA1

IPD80R280P7ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 17A TO252

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD80N06S3-09

IPD80N06S3-09

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD80R1K4P7ATMA1

IPD80R1K4P7ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD80R1K4CEATMA1

IPD80R1K4CEATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD80N04S306ATMA1

IPD80N04S306ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.