Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IPI041N12N3GAKSA1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1827270IPI041N12N3GAKSA1 piltInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPI041N12N3GAKSA1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
500+
$3.59
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IPI041N12N3GAKSA1
  • Tootja / bränd
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IPI041N12N3GAKSA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 270µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PG-TO262-3
  • Seeria
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.1 mOhm @ 100A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    300W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Muud nimed
    IPI041N12N3 G
    IPI041N12N3 G-ND
    IPI041N12N3G
    SP000652748
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    13800pF @ 60V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    211nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    120V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 120V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Saatmine
Makse
Järgnev on "IPI041N12N3GAKSA1" seotud tooted.
IPI040N06N3GXKSA1

IPI040N06N3GXKSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 90A

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPI045N10N3GXK

IPI045N10N3GXK

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPI032N06N3 G

IPI032N06N3 G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPI034NE7N3 G

IPI034NE7N3 G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPI030N10N3GXKSA1

IPI030N10N3GXKSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 100A

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPI037N08N3GXKSA1

IPI037N08N3GXKSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 100A

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPI051N15N5AKSA1

IPI051N15N5AKSA1

Kirjeldus: MV POWER MOS

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPI037N08N3GHKSA1

IPI037N08N3GHKSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPI057N08N3 G

IPI057N08N3 G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPI052NE7N3 G

IPI052NE7N3 G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPI05N03LA

IPI05N03LA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPI045N10N3GXKSA1

IPI045N10N3GXKSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPI04N03LA

IPI04N03LA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 80A TO-262

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPI05CN10N G

IPI05CN10N G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPI04CN10N G

IPI04CN10N G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPI032N06N3GAKSA1

IPI032N06N3GAKSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPI03N03LA

IPI03N03LA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPI037N06L3GHKSA1

IPI037N06L3GHKSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPI06CN10N G

IPI06CN10N G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPI040N06N3GHKSA1

IPI040N06N3GHKSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.