Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > BAS16HMFHT116
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6182930BAS16HMFHT116 piltLAPIS Semiconductor

BAS16HMFHT116

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.039
6000+
$0.035
15000+
$0.031
30000+
$0.028
75000+
$0.025
150000+
$0.02
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    BAS16HMFHT116
  • Tootja / bränd
    LAPIS Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    HIGH RELIABILITY AND SMALL MOLD
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    BAS16HMFHT116.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.25V @ 150mA
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    80V
  • Pakkuja seadme pakett
    SSD3
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    4ns
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muud nimed
    BAS16HMFHT116TR
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    150°C (Max)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    12 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 80V 215mA (DC) Surface Mount SSD3
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    500nA @ 80V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    215mA (DC)
  • Mahtuvus @ Vr, F
    2pF @ 0V, 1MHz

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "BAS16HMFHT116" seotud tooted.
BAS16HLP-7

BAS16HLP-7

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 215MA 2DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
BAS16DXV6T5G

BAS16DXV6T5G

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT563

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
BAS16H,115

BAS16H,115

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD123

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
BAS16HTWQ-13

BAS16HTWQ-13

Kirjeldus: DIODE FS 100V 200MA SOT363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
BAS16HT3G

BAS16HT3G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
BAS16E6393HTSA1

BAS16E6393HTSA1

Kirjeldus: DIODE GP 80V 250MA SOT23-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
BAS16J,135

BAS16J,135

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
BAS16DXV6T1G

BAS16DXV6T1G

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT563

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
BAS16HTWQ-13R

BAS16HTWQ-13R

Kirjeldus: DIODE FS 100V 200MA SOT363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
BAS16GWJ

BAS16GWJ

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD123

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
BAS16E6433HTMA1

BAS16E6433HTMA1

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
BAS16HT1G

BAS16HT1G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
BAS16HTW-13

BAS16HTW-13

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
BAS16L,315

BAS16L,315

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD882

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
BAS16HT1G

BAS16HT1G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 85V 200MA SOD323

Tootjad: Fairchild/ON Semiconductor
Laos
RFQ
BAS16J,115

BAS16J,115

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
BAS16GWX

BAS16GWX

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD123

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
BAS16HT1

BAS16HT1

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
BAS16E6327HTSA1

BAS16E6327HTSA1

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
BAS16DXV6T5

BAS16DXV6T5

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT563

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.