Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > HP8S36TB
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3618693HP8S36TB piltLAPIS Semiconductor

HP8S36TB

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.51
10+
$1.337
100+
$1.057
500+
$0.82
1000+
$0.647
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    HP8S36TB
  • Tootja / bränd
    LAPIS Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.HP8S36TB.pdf
    2.HP8S36TB.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Pakkuja seadme pakett
    8-HSOP
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.4 mOhm @ 32A, 10V
  • Võimsus - maks
    29W
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    8-PowerTDFN
  • Muud nimed
    HP8S36TBDKR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    40 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    6100pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    47nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET funktsioon
    -
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 27A, 80A 29W Surface Mount 8-HSOP
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    27A, 80A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "HP8S36TB" seotud tooted.
IRF8313PBF

IRF8313PBF

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
APTM50DUM19G

APTM50DUM19G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
BSL308CH6327XTSA1

BSL308CH6327XTSA1

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
HP8060-9RG

HP8060-9RG

Kirjeldus: POWER SUPPLYHP8060-9RGDC-DCIN 16

Tootjad: Bel
Laos
RFQ
FDS6911

FDS6911

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJD2152PT2

NTJD2152PT2

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
APTMC120TAM12CTPAG

APTMC120TAM12CTPAG

Kirjeldus: MOSFET 6N-CH 1200V 220A SP6P

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
DMC4029SSD-13

DMC4029SSD-13

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
HP8KA1TB

HP8KA1TB

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
UPA2672T1R-E2-AX

UPA2672T1R-E2-AX

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 12V 4A 6HUSON

Tootjad: Renesas Electronics America
Laos
RFQ
SI4214DDY-T1-E3

SI4214DDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
AO4612L

AO4612L

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
IPG20N06S4L14AATMA1

IPG20N06S4L14AATMA1

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 8TDSON

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SI3590DV-T1-E3

SI3590DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
HP8K22TB

HP8K22TB

Kirjeldus: 30V NCH+NCH MID POWER MOSFET

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
IRF7103TRPBF

IRF7103TRPBF

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
FDY1002PZ

FDY1002PZ

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
DMP2100UCB9-7

DMP2100UCB9-7

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 3A 9UWLB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
GWM120-0075P3-SL

GWM120-0075P3-SL

Kirjeldus: MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
ECH8651R-TL-H

ECH8651R-TL-H

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.