Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - bipolaarne (BJT) - massiivid, eelhi > IMB7AT108
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3561533IMB7AT108 piltLAPIS Semiconductor

IMB7AT108

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.132
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IMB7AT108
  • Tootja / bränd
    LAPIS Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IMB7AT108.pdf
  • ECAD -mudel
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistori tüüp
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-457
  • Seeria
    -
  • Takisti - emitteri alus (R2)
    -
  • Takisti - alus (R1)
    4.7 kOhms
  • Võimsus - maks
    300mW
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    SOT-457
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sagedus - üleminek
    -
  • Täpsem kirjeldus
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-457
  • DC voolu võimendus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    100 @ 1mA, 5V
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    -
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    100mA

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "IMB7AT108" seotud tooted.
IMB5AT108

IMB5AT108

Kirjeldus: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC74

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
IMBD4148-E3-08

IMBD4148-E3-08

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IMBD4148-E3-18

IMBD4148-E3-18

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IMB36656M12

IMB36656M12

Kirjeldus: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M12

Tootjad: Crouzet
Laos
RFQ
IMBD4148-G3-08

IMBD4148-G3-08

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IMBD4148-HE3-08

IMBD4148-HE3-08

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IMB36656M8

IMB36656M8

Kirjeldus: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M8

Tootjad: Crouzet
Laos
RFQ
IMBD4448-G3-08

IMBD4448-G3-08

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IMBD4148-HE3-18

IMBD4148-HE3-18

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IMB4AT110

IMB4AT110

Kirjeldus: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
IMB36654C

IMB36654C

Kirjeldus: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST 2M

Tootjad: Crouzet
Laos
RFQ
IMB36656C

IMB36656C

Kirjeldus: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST 2M

Tootjad: Crouzet
Laos
RFQ
IMBD4148-G3-18

IMBD4148-G3-18

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IMBD4448-E3-18

IMBD4448-E3-18

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IMBD4448-E3-08

IMBD4448-E3-08

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IMB36654M8

IMB36654M8

Kirjeldus: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M8

Tootjad: Crouzet
Laos
RFQ
IMB9AT110

IMB9AT110

Kirjeldus: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
IMB36654M12

IMB36654M12

Kirjeldus: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M12

Tootjad: Crouzet
Laos
RFQ
IMB36652M8

IMB36652M8

Kirjeldus: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M8

Tootjad: Crouzet
Laos
RFQ
IMB3AT110

IMB3AT110

Kirjeldus: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.