Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > R6007ENX
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6264733R6007ENX piltLAPIS Semiconductor

R6007ENX

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.96
10+
$1.771
100+
$1.423
500+
$1.107
1000+
$0.917
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    R6007ENX
  • Tootja / bränd
    LAPIS Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 600V 7A TO220
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    R6007ENX.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-220FM
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    620 mOhm @ 2.4A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    40W (Tc)
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    TO-220-3 Full Pack
  • Muud nimed
    R6007ENXCT
    R6007ENXCT-ND
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    17 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    390pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    600V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 600V 7A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    7A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "R6007ENX" seotud tooted.
R6006ANDTL

R6006ANDTL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 6A CPT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
R6007ENJTL

R6007ENJTL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7A LPT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
R6009KNJTL

R6009KNJTL

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO263

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
R6007KNJTL

R6007KNJTL

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO263

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
R6008FNJTL

R6008FNJTL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
R6009ENX

R6009ENX

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
R6009-00

R6009-00

Kirjeldus: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 9.5MM

Tootjad: Harwin
Laos
RFQ
R6008ANX

R6008ANX

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
R6006-00

R6006-00

Kirjeldus: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 6.3MM

Tootjad: Harwin
Laos
RFQ
R60060-2COR

R60060-2COR

Kirjeldus: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS

Tootjad: Bussmann (Eaton)
Laos
RFQ
R6006ANX

R6006ANX

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
R6008-00

R6008-00

Kirjeldus: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 8MM

Tootjad: Harwin
Laos
RFQ
R6008FNX

R6008FNX

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
R60060-3CR

R60060-3CR

Kirjeldus: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS

Tootjad: Bussmann (Eaton)
Laos
RFQ
R60060-2CR

R60060-2CR

Kirjeldus: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS

Tootjad: Bussmann (Eaton)
Laos
RFQ
R60060-3COR

R60060-3COR

Kirjeldus: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS

Tootjad: Bussmann (Eaton)
Laos
RFQ
R6009ENJTL

R6009ENJTL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 9A LPT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
R60060-1CR

R60060-1CR

Kirjeldus: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS

Tootjad: Bussmann (Eaton)
Laos
RFQ
R6007KNX

R6007KNX

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
R60060-1COR

R60060-1COR

Kirjeldus: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS

Tootjad: Bussmann (Eaton)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.