Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > R6024ENZ1C9
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5976351R6024ENZ1C9 piltLAPIS Semiconductor

R6024ENZ1C9

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$4.44
10+
$3.968
100+
$3.253
500+
$2.634
1000+
$2.222
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    R6024ENZ1C9
  • Tootja / bränd
    LAPIS Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 600V 24A TO247
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    R6024ENZ1C9.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    165 mOhm @ 11.3A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    120W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    17 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1650pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    70nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    600V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 600V 24A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    24A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "R6024ENZ1C9" seotud tooted.
R6021435ESYA

R6021435ESYA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos
RFQ
R6024ENZC8

R6024ENZC8

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
R6025FNZC8

R6025FNZC8

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
R6021025HSYA

R6021025HSYA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos
RFQ
R6025FNZ1C9

R6025FNZ1C9

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 25A TO247

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
R6021022PSYA

R6021022PSYA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos
RFQ
R6024KNX

R6024KNX

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
R6021035ESYA

R6021035ESYA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos
RFQ
R6024KNJTL

R6024KNJTL

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
R6021225HSYA

R6021225HSYA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos
RFQ
R6025ANZC8

R6025ANZC8

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
R6024KNZ1C9

R6024KNZ1C9

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
R6030225HSYA

R6030225HSYA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos
RFQ
R6024KNZC8

R6024KNZC8

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
R6021235ESYA

R6021235ESYA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos
RFQ
R6024ENJTL

R6024ENJTL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 24A LPT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
R6030222PSYA

R6030222PSYA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos
RFQ
R6024ENX

R6024ENX

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 24A TO220

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
R6021425HSYA

R6021425HSYA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos
RFQ
R6021222PSYA

R6021222PSYA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.