Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > R6030ENZC8
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6874837R6030ENZC8 piltLAPIS Semiconductor

R6030ENZC8

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$6.47
10+
$5.779
100+
$4.739
500+
$3.837
1000+
$3.236
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    R6030ENZC8
  • Tootja / bränd
    LAPIS Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    R6030ENZC8.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-3PF
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    130 mOhm @ 14.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    120W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-3P-3 Full Pack
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    17 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2100pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    85nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    600V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 600V 30A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "R6030ENZC8" seotud tooted.
R6030KNX

R6030KNX

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
R6030425HSYA

R6030425HSYA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos
RFQ
R6030622PSYA

R6030622PSYA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos
RFQ
R6031035ESYA

R6031035ESYA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos
RFQ
R6030ENZ1C9

R6030ENZ1C9

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
R6031022PSYA

R6031022PSYA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos
RFQ
R6030KNXC7

R6030KNXC7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
R6030435ESYA

R6030435ESYA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos
RFQ
R6031225HSYA

R6031225HSYA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos
RFQ
R6030KNZC8

R6030KNZC8

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
R6031222PSYA

R6031222PSYA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos
RFQ
R6030835ESYA

R6030835ESYA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos
RFQ
R6030ENX

R6030ENX

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
R6031025HSYA

R6031025HSYA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos
RFQ
R6030825HSYA

R6030825HSYA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos
RFQ
R6030635ESYA

R6030635ESYA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos
RFQ
R6030822PSYA

R6030822PSYA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos
RFQ
R6030625HSYA

R6030625HSYA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos
RFQ
R6030KNZ1C9

R6030KNZ1C9

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
R6030MNX

R6030MNX

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.