Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > RFN1L7STE25
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1718361RFN1L7STE25 piltLAPIS Semiconductor

RFN1L7STE25

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RFN1L7STE25
  • Tootja / bränd
    LAPIS Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    RFN1L7STE25.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.5V @ 800mA
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    700V
  • Pakkuja seadme pakett
    PMDS
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    80ns
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    DO-214AC, SMA
  • Muud nimed
    RFN1L7STE25CT
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    150°C (Max)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 700V 800mA Surface Mount PMDS
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1µA @ 700V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    800mA
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -
  • Baasosa number
    RFN1L7S

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "RFN1L7STE25" seotud tooted.
RFN10T2D

RFN10T2D

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN20NS3SFHTL

RFN20NS3SFHTL

Kirjeldus: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN1LAM7STR

RFN1LAM7STR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN20TF6SFH

RFN20TF6SFH

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN10NS6SFHTL

RFN10NS6SFHTL

Kirjeldus: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN1LAM6STR

RFN1LAM6STR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN20NS4SFHTL

RFN20NS4SFHTL

Kirjeldus: FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN1LAM7STFTR

RFN1LAM7STFTR

Kirjeldus: AUTOMOTIVE FAST RECOVERY DIODE (

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN10TF6S

RFN10TF6S

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN20TJ6SGC9

RFN20TJ6SGC9

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN10NS6STL

RFN10NS6STL

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN20NS6SFHTL

RFN20NS6SFHTL

Kirjeldus: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN10BM3SFHTL

RFN10BM3SFHTL

Kirjeldus: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN10BM3STL

RFN10BM3STL

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 350V 10A TO252

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN10BM6SFHTL

RFN10BM6SFHTL

Kirjeldus: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN20NS6STL

RFN20NS6STL

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN2L4STE25

RFN2L4STE25

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 400V 1.5A PMDS

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN20TF6S

RFN20TF6S

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN1L6STE25

RFN1L6STE25

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN10B3STL

RFN10B3STL

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 350V 10A CPD

Tootjad: Rohm Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.