Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT-d - üksikud > RGW00TS65DGC11
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3819000RGW00TS65DGC11 piltLAPIS Semiconductor

RGW00TS65DGC11

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$6.35
10+
$5.67
25+
$5.103
100+
$4.649
250+
$4.196
500+
$3.765
1000+
$3.175
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RGW00TS65DGC11
  • Tootja / bränd
    LAPIS Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    RGW00TS65DGC11.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    650V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    1.9V @ 15V, 50A
  • Testimise tingimus
    400V, 50A, 10 Ohm, 15V
  • Td (sisse / välja) @ 25 ° C
    52ns/180ns
  • Switching Energy
    1.18mJ (on), 960µJ (off)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247N
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    95ns
  • Võimsus - maks
    254W
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    15 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    Standard
  • IGBT tüüp
    Trench Field Stop
  • Väravad
    141nC
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT Trench Field Stop 650V 96A 254W Through Hole TO-247N
  • Praegune - kollektori impulss (Icm)
    200A
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    96A

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22
Saatmine
Makse
Järgnev on "RGW00TS65DGC11" seotud tooted.
RGW60TS65GC11

RGW60TS65GC11

Kirjeldus: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RGW60TK65DGVC11

RGW60TK65DGVC11

Kirjeldus: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RGW80TK65GVC11

RGW80TK65GVC11

Kirjeldus: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
STGFL6NC60D

STGFL6NC60D

Kirjeldus: IGBT 600V 7A 22W TO220FP

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STGF20M65DF2

STGF20M65DF2

Kirjeldus: IGBT TRENCH 650V 40A TO220FP

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
RGW00TS65GC11

RGW00TS65GC11

Kirjeldus: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RGW80TS65DGC11

RGW80TS65DGC11

Kirjeldus: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RGW80TS65GC11

RGW80TS65GC11

Kirjeldus: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RGW-100-1Y

RGW-100-1Y

Kirjeldus: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD

Tootjad: Panduit
Laos
RFQ
RGW-12-1Y

RGW-12-1Y

Kirjeldus: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD

Tootjad: Panduit
Laos
RFQ
RGW60TK65GVC11

RGW60TK65GVC11

Kirjeldus: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RJH60F6DPK-00#T0

RJH60F6DPK-00#T0

Kirjeldus: IGBT 600V 85A 297.6W TO-3P

Tootjad: Renesas Electronics America
Laos
RFQ
RGW60TS65DGC11

RGW60TS65DGC11

Kirjeldus: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RGW80TK65DGVC11

RGW80TK65DGVC11

Kirjeldus: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RGW00TK65GVC11

RGW00TK65GVC11

Kirjeldus: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RGW00TK65DGVC11

RGW00TK65DGVC11

Kirjeldus: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
IXST30N60C

IXST30N60C

Kirjeldus: IGBT 600V 55A 200W TO268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
RGW-32-1Y

RGW-32-1Y

Kirjeldus: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD

Tootjad: Panduit
Laos
RFQ
RGW-24-1Y

RGW-24-1Y

Kirjeldus: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD

Tootjad: Panduit
Laos
RFQ
IXGT30N60B

IXGT30N60B

Kirjeldus: IGBT 600V 60A 200W TO268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.