Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > RND030N20TL
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1442865RND030N20TL piltLAPIS Semiconductor

RND030N20TL

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.329
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RND030N20TL
  • Tootja / bränd
    LAPIS Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 200V 3A CPT3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    RND030N20TL.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5.2V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    CPT3
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    870 mOhm @ 1.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    850mW (Ta), 20W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muud nimed
    RND030N20TLTR
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    270pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.7nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    200V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 200V 3A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    3A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "RND030N20TL" seotud tooted.
BUK7E1R6-30E,127

BUK7E1R6-30E,127

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

Tootjad: NXP Semiconductors / Freescale
Laos
RFQ
RND02ZGE-M6

RND02ZGE-M6

Kirjeldus: DC DC CONVERTER 3.27V 5.2V 10W

Tootjad: Bel
Laos
RFQ
FDU8796

FDU8796

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
BSP320SH6327XTSA1

BSP320SH6327XTSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPI120N04S402AKSA1

IPI120N04S402AKSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SIHF12N60E-GE3

SIHF12N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IPB60R120C7ATMA1

IPB60R120C7ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
FQA13N50C-F109

FQA13N50C-F109

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 13.5A

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
RND0.8ZHH-M6

RND0.8ZHH-M6

Kirjeldus: DC DC CONVERTER +/-12V 10W

Tootjad: Bel
Laos
RFQ
RND0.8ZHH-M6G

RND0.8ZHH-M6G

Kirjeldus: DC DC CONVERTER +/-12V 10W

Tootjad: Bel
Laos
RFQ
TPH1400ANH,L1Q

TPH1400ANH,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
IXKN45N80C

IXKN45N80C

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
SUP53P06-20-E3

SUP53P06-20-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 9.2A TO220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RND02ZGG-M6

RND02ZGG-M6

Kirjeldus: DC DC CONVERTER +/-5.1V 10W

Tootjad: Bel
Laos
RFQ
BSZ0502NSIATMA1

BSZ0502NSIATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 22A 8SON

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRF740LCSTRL

IRF740LCSTRL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GP1M005A050HS

GP1M005A050HS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 4A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
SIHP21N65EF-GE3

SIHP21N65EF-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 21A TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRFR2905ZTR

IRFR2905ZTR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
PMN40ENEX

PMN40ENEX

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.7A 6TSOP

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.