Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > RQ1C075UNTR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5661561RQ1C075UNTR piltLAPIS Semiconductor

RQ1C075UNTR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.76
10+
$0.663
100+
$0.512
500+
$0.379
1000+
$0.303
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RQ1C075UNTR
  • Tootja / bränd
    LAPIS Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.RQ1C075UNTR.pdf
    2.RQ1C075UNTR.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±10V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TSMT8
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16 mOhm @ 7.5A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    700mW (Ta)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    8-SMD, Flat Lead
  • Muud nimed
    RQ1C075UNCT
    RQ1C075UNTRCT
    RQ1C075UNTRCT-ND
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1400pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.5V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 20V 7.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSMT8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    7.5A (Ta)

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17
Saatmine
Makse
Järgnev on "RQ1C075UNTR" seotud tooted.
RQ1E100XNTR

RQ1E100XNTR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
SQM50P04-09L_GE3

SQM50P04-09L_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHANNEL 40V 50A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RQ1A060ZPTR

RQ1A060ZPTR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
IXFH140N20X3

IXFH140N20X3

Kirjeldus: 200V/140A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
STI200N6F3

STI200N6F3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
SI7148DP-T1-GE3

SI7148DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RSS070N05FRATB

RSS070N05FRATB

Kirjeldus: 4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
IRF6618TRPBF

IRF6618TRPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
RQ1A070APTR

RQ1A070APTR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ1C065UNTR

RQ1C065UNTR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
FCH104N60

FCH104N60

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 37A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
EPC2016C

EPC2016C

Kirjeldus: TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
RQ1A070ZPTR

RQ1A070ZPTR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
SI5855CDC-T1-E3

SI5855CDC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
DMT6015LFV-7

DMT6015LFV-7

Kirjeldus: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
RQ1E050RPTR

RQ1E050RPTR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ1E070RPTR

RQ1E070RPTR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
STS13N3LLH5

STS13N3LLH5

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
SI4864DY-T1-E3

SI4864DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 17A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
AUIRFS4310TRL

AUIRFS4310TRL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.