Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > RQ3E100BNTB
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
595842

RQ3E100BNTB

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.123
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RQ3E100BNTB
  • Tootja / bränd
    LAPIS Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.RQ3E100BNTB.pdf
    2.RQ3E100BNTB.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-HSMT (3.2x3)
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.4 mOhm @ 10A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-PowerVDFN
  • Muud nimed
    RQ3E100BNTBTR
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    40 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1100pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "RQ3E100BNTB" seotud tooted.
RQ3E075ATTB

RQ3E075ATTB

Kirjeldus: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ3E130BNTB

RQ3E130BNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ3E180GNTB

RQ3E180GNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 18A 8-HSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ3E160ADTB

RQ3E160ADTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ3E080GNTB

RQ3E080GNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ3E120GNTB

RQ3E120GNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ3E180BNTB

RQ3E180BNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ3E150BNTB

RQ3E150BNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ3E130MNTB1

RQ3E130MNTB1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ3E070BNTB

RQ3E070BNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ3C150BCTB

RQ3C150BCTB

Kirjeldus: MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ3G100GNTB

RQ3G100GNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 10A TSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ3E180AJTB

RQ3E180AJTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ3E080BNTB

RQ3E080BNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ3E100MNTB1

RQ3E100MNTB1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ3E100GNTB

RQ3E100GNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ3E150MNTB1

RQ3E150MNTB1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ3E120BNTB

RQ3E120BNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ3E150GNTB

RQ3E150GNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.