Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > RQ5E070BNTCL
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3709021RQ5E070BNTCL piltLAPIS Semiconductor

RQ5E070BNTCL

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.275
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RQ5E070BNTCL
  • Tootja / bränd
    LAPIS Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    NCH 30V 7A MIDDLE POWER MOSFET
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.RQ5E070BNTCL.pdf
    2.RQ5E070BNTCL.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TSMT3
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16.1 mOhm @ 7A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    SC-96
  • Muud nimed
    RQ5E070BNTCLTR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    950pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 7A (Tc) 1W (Tc) Surface Mount TSMT3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    7A (Tc)

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17
Saatmine
Makse
Järgnev on "RQ5E070BNTCL" seotud tooted.
IXFH60N60X

IXFH60N60X

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 60A TO247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
RQ5E025ATTCL

RQ5E025ATTCL

Kirjeldus: MOSFET P-CHANNEL 30V 2.5A TSMT3

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ5A030APTL

RQ5A030APTL

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ5C035BCTCL

RQ5C035BCTCL

Kirjeldus: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.5A TSMT3

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
IRF6609TR1

IRF6609TR1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
94-3412PBF

94-3412PBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SIDR610DP-T1-GE3

SIDR610DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRF9540PBF

IRF9540PBF

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 19A TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RQ5L015SPTL

RQ5L015SPTL

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ5C060BCTCL

RQ5C060BCTCL

Kirjeldus: PCH -20V -6A MIDDLE POWER MOSFET

Tootjad: Rohm Semiconductor
Laos
RFQ
IXFR32N50

IXFR32N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH ISOPLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
RQ5E040AJTCL

RQ5E040AJTCL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4A SC96

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ5E035ATTCL

RQ5E035ATTCL

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ5H020SPTL

RQ5H020SPTL

Kirjeldus: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
FDU068AN03L

FDU068AN03L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
RJK0603DPN-E0#T2

RJK0603DPN-E0#T2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 80A TO220

Tootjad: Renesas Electronics America
Laos
RFQ
RQ5E035BNTCL

RQ5E035BNTCL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
DMN4010LFG-7

DMN4010LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
RQ5E030AJTCL

RQ5E030AJTCL

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
DMP2005UFG-7

DMP2005UFG-7

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.