Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > RQ6E045BNTCR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3862342RQ6E045BNTCR piltLAPIS Semiconductor

RQ6E045BNTCR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.137
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RQ6E045BNTCR
  • Tootja / bränd
    LAPIS Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.RQ6E045BNTCR.pdf
    2.RQ6E045BNTCR.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TSMT6 (SC-95)
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    30 mOhm @ 4.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.25W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Muud nimed
    RQ6E045BNTCRTR
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    330pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.4nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 4.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    4.5A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "RQ6E045BNTCR" seotud tooted.
SI7102DN-T1-E3

SI7102DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RQ6P015SPTR

RQ6P015SPTR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
STP3LN62K3

STP3LN62K3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 620V 2.5A TO220

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
FCH110N65F-F155

FCH110N65F-F155

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 35A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
RQ6C065BCTCR

RQ6C065BCTCR

Kirjeldus: PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
TLC530FTU

TLC530FTU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 330V 7A TO220-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HAT2099H-EL-E

HAT2099H-EL-E

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK

Tootjad: Renesas Electronics America
Laos
RFQ
SISH129DN-T1-GE3

SISH129DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IPC171N04NX1SA1

IPC171N04NX1SA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 1A SAWN ON FOIL

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
RQ6E050ATTCR

RQ6E050ATTCR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
IRLMS1902TRPBF

IRLMS1902TRPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IXFN44N100P

IXFN44N100P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
FDS6299S

FDS6299S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTMFS4744NT3G

NTMFS4744NT3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7A SO-8FL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
RQ6E030ATTCR

RQ6E030ATTCR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ6E055BNTCR

RQ6E055BNTCR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ6C050UNTR

RQ6C050UNTR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ6E035ATTCR

RQ6E035ATTCR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ6C050BCTCR

RQ6C050BCTCR

Kirjeldus: PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ6E085BNTCR

RQ6E085BNTCR

Kirjeldus: NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.