Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > RRE02VSM4STR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1501209RRE02VSM4STR piltLAPIS Semiconductor

RRE02VSM4STR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.085
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RRE02VSM4STR
  • Tootja / bränd
    LAPIS Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GP 400V 200MA TUMD2SM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.RRE02VSM4STR.pdf
    2.RRE02VSM4STR.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.1V @ 200mA
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    400V
  • Pakkuja seadme pakett
    TUMD2SM
  • Kiirus
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    2-SMD, Flat Lead
  • Muud nimed
    RRE02VSM4STRTR
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    150°C (Max)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    10 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 400V 200mA Surface Mount TUMD2SM
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1µA @ 400V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    200mA
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "RRE02VSM4STR" seotud tooted.
RRE04EA6DFHTR

RRE04EA6DFHTR

Kirjeldus: RECTIFYING DIODE (AEC-Q101 QUALI

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RRE07VTM6SFHTR

RRE07VTM6SFHTR

Kirjeldus: RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
VS-SD500N45MSC

VS-SD500N45MSC

Kirjeldus: MOD DIODE 560A 4500V B-PUK

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
RRE02VTM4SFHTR

RRE02VTM4SFHTR

Kirjeldus: RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RRE02VSM6STR

RRE02VSM6STR

Kirjeldus: DIODE GP 600V 200MA TUMD2SM

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RRE02VS4SGTR

RRE02VS4SGTR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 200MA TUMD2S

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RRE07VSM6STR

RRE07VSM6STR

Kirjeldus: DIODE GP 600V 700MA TUMD2SM

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RRE04EA4DFHTR

RRE04EA4DFHTR

Kirjeldus: RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
1N3891R

1N3891R

Kirjeldus: FAST RECOVERY RECTIFIER

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
RRE02VTM6SFHTR

RRE02VTM6SFHTR

Kirjeldus: RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
GP10K-E3/73

GP10K-E3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RRE02VS6SGTR

RRE02VS6SGTR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 200MA TUMD2S

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
JAN1N6622U

JAN1N6622U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
RRE07VSM4STR

RRE07VSM4STR

Kirjeldus: DIODE GP 400V 700MA TUMD2SM

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
IRD3CH53DF6

IRD3CH53DF6

Kirjeldus: DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
RA 13V

RA 13V

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 30V 2A AXIAL

Tootjad: Sanken Electric Co., Ltd.
Laos
RFQ
RRE07VTM4SFHTR

RRE07VTM4SFHTR

Kirjeldus: RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RRE04EA4DTR

RRE04EA4DTR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 400MA TSMD5

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
SB3H100-E3/73

SB3H100-E3/73

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO201AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
MBR0530T3

MBR0530T3

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD123

Tootjad: ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.