RS1G300GNTB

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

2500+

$0.916

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

RS1G300GNTB
Tootja / bränd

LAPIS Technology
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

1.RS1G300GNTB.pdf
2.RS1G300GNTB.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (max)

±20V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

8-HSOP
Seeria

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5 mOhm @ 30A, 10V
Voolukatkestus (max)

3W (Ta), 35W (Tc)
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

8-PowerTDFN
Muud nimed

RS1G300GNTBTR
Töötemperatuur

150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Tootja Standardne pliiaeg

40 Weeks
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

4230pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56.8nC @ 10V
FET tüüp

N-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

4.5V, 10V
Vooluallikas (Vdss)

40V
Täpsem kirjeldus

N-Channel 40V 30A (Ta) 3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

30A (Ta)

Järgnev on "RS1G300GNTB" seotud tooted.

RS1G-E3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

RS1GHE3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

RS1GB-13-F

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

RFQ

RS1GFSHMXG

Kirjeldus: DIODE, FAST, 1A, 400V

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)

Laos

RFQ

RS1G-M3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

RS1GHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

RS1G150MNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor

Laos

RFQ

RS1G-M3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

RS1GB-13

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

RFQ

RS1GFA

Kirjeldus: DIODE GP 400V 800MA SOD123FA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Eelregistreerimine

RS1G300GNTB

Küsi hinnapakkumist

võrdlushind (USA dollarites)

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

RS1G-E3/61T

RS1GHE3/5AT

RS1GB-13-F

RS1GFSHMXG

RS1G-M3/61T

RS1GHE3_A/H

RS1G150MNTB

RS1G-M3/5AT

RS1GB-13

RS1GFA

RS1G-13-F

RS1G260MNTB

RS1G120MNTB

RS1GFS MXG

RS1GFS MWG

RS1GFSHMWG

RS1G/1

RS1G-E3/5AT

RS1G180MNTB

RS1GHE3/61T

Vali keel

Praegune keel