Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > RUC002N05HZGT116
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6925394RUC002N05HZGT116 piltLAPIS Semiconductor

RUC002N05HZGT116

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.24
10+
$0.222
100+
$0.124
500+
$0.067
1000+
$0.045
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RUC002N05HZGT116
  • Tootja / bränd
    LAPIS Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    1.2V DRIVE NCH MOSFET
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.RUC002N05HZGT116.pdf
    2.RUC002N05HZGT116.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±8V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SST3
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101
  • Voolukatkestus (max)
    350mW (Ta)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muud nimed
    RUC002N05HZGT116DKR
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    10 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    25pF @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.2V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    50V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 50V 200mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SST3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    200mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "RUC002N05HZGT116" seotud tooted.
ZXMN6A07FTA

ZXMN6A07FTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
RUC0D331MLG

RUC0D331MLG

Kirjeldus: CAP ALUM POLY 330UF 20% 2V SMD

Tootjad: Nichicon
Laos
RFQ
NTLJF4156NT1G

NTLJF4156NT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
PSMN4R0-60YS,115

PSMN4R0-60YS,115

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
IRF7425PBF

IRF7425PBF

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 15A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
RUC002N05T116

RUC002N05T116

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 0.2A SST3

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
IRF3704STRR

IRF3704STRR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
NTJS3151PT2G

NTJS3151PT2G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
DMP6180SK3-13

DMP6180SK3-13

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 14A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
SSM6J216FE,LF

SSM6J216FE,LF

Kirjeldus: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
IXTQ140N10P

IXTQ140N10P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
STH265N6F6-6AG

STH265N6F6-6AG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
IRFIBC30G

IRFIBC30G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RUC0D271MLG

RUC0D271MLG

Kirjeldus: CAP ALUM POLY 270UF 20% 2V SMD

Tootjad: Nichicon
Laos
RFQ
NTTFS4985NFTAG

NTTFS4985NFTAG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16.3A 8-WDFN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IPA80R360P7XKSA1

IPA80R360P7XKSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 800V 13A TO220

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
STQ1NC45R-AP

STQ1NC45R-AP

Kirjeldus: MOSFET N-CH 450V 0.5A TO-92

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
BUK763R4-30B,118

BUK763R4-30B,118

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
APT5012JN

APT5012JN

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
TPH3206LD

TPH3206LD

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 17A PQFN

Tootjad: Transphorm
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.