Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > RW1C015UNT2R
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1819386RW1C015UNT2R piltLAPIS Semiconductor

RW1C015UNT2R

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
8000+
$0.183
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RW1C015UNT2R
  • Tootja / bränd
    LAPIS Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    RW1C015UNT2R.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±10V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    6-WEMT
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    400mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    SOT-563, SOT-666
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    110pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.8nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.5V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 20V 1.5A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    1.5A (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "RW1C015UNT2R" seotud tooted.
RW1S0BAR005J

RW1S0BAR005J

Kirjeldus: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

Tootjad: Ohmite
Laos
RFQ
RW10062A

RW10062A

Kirjeldus: WASHER FLAT RETAINING #10 NYLON

Tootjad: Essentra Components
Laos
RFQ
RW10032A

RW10032A

Kirjeldus: WASHER FLAT RETAINING #10 NYLON

Tootjad: Essentra Components
Laos
RFQ
RW1C020UNT2R

RW1C020UNT2R

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RW1S0BA1R00JT

RW1S0BA1R00JT

Kirjeldus: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Tootjad: Ohmite
Laos
RFQ
RW1S0BA1R00JE

RW1S0BA1R00JE

Kirjeldus: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Tootjad: Ohmite
Laos
RFQ
RW1A013ZPT2R

RW1A013ZPT2R

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 1.5A WEMT6

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RW1A020ZPT2R

RW1A020ZPT2R

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RW1E014SNT2R

RW1E014SNT2R

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RW1E015RPT2R

RW1E015RPT2R

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RW1E025RPT2CR

RW1E025RPT2CR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RW1A025APT2CR

RW1A025APT2CR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RW1S0BA1R00JET

RW1S0BA1R00JET

Kirjeldus: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Tootjad: Ohmite
Laos
RFQ
RW1S0BA1R00J

RW1S0BA1R00J

Kirjeldus: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Tootjad: Ohmite
Laos
RFQ
RW1S0BAR010F

RW1S0BAR010F

Kirjeldus: RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD

Tootjad: Ohmite
Laos
RFQ
RW1A030APT2CR

RW1A030APT2CR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RW1S0BAR005JET

RW1S0BAR005JET

Kirjeldus: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

Tootjad: Ohmite
Laos
RFQ
RW1C025ZPT2CR

RW1C025ZPT2CR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RW1C026ZPT2CR

RW1C026ZPT2CR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RW1S0BAR005JE

RW1S0BAR005JE

Kirjeldus: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

Tootjad: Ohmite
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.