Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > ZDS020N60TB
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6678204

ZDS020N60TB

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.515
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    ZDS020N60TB
  • Tootja / bränd
    LAPIS Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 600V 8SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    ZDS020N60TB.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SOP
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5 Ohm @ 500mA, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    310pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    600V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 600V 630mA (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOP
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    630mA (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "ZDS020N60TB" seotud tooted.
ZDS1009TA

ZDS1009TA

Kirjeldus: IC CURRENT MIRROR SM8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
STL24N60M2

STL24N60M2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 18A POWERFLAT

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STW60NE10

STW60NE10

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 60A TO-247

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STW8NB100

STW8NB100

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1KV 7.3A TO-247

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
DMP3028LK3-13

DMP3028LK3-13

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 27A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
SI3474DV-T1-GE3

SI3474DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 3.8A TSOP-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FQB19N20CTM

FQB19N20CTM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
BSP125 E6433

BSP125 E6433

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SSU1N60BTU-WS

SSU1N60BTU-WS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 0.9A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDMB668P

FDMB668P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IRLU2905Z

IRLU2905Z

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
TSM2318CX RFG

TSM2318CX RFG

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
IPD30N06S2L23ATMA1

IPD30N06S2L23ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IXFQ72N30X3

IXFQ72N30X3

Kirjeldus: 300V/72A ULTRA JUNCTION X3-CLASS

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
FCH070N60E

FCH070N60E

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 52A

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
AON7232

AON7232

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 100V 37A 8DFN

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
AON6403L

AON6403L

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8DFN

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
STW38N65M5

STW38N65M5

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 30A TO-247

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
BSC094N03S G

BSC094N03S G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
FCD9N60NTM

FCD9N60NTM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 9A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.