Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > EDB1332BDPC-1D-F-D
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
755074EDB1332BDPC-1D-F-D piltMicron Technology

EDB1332BDPC-1D-F-D

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1680+
$4.405
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    EDB1332BDPC-1D-F-D
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Pakkuja seadme pakett
    134-VFBGA (10x11.5)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    134-VFBGA
  • Töötemperatuur
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    1Gb (32M x 32)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 1Gb (32M x 32) Parallel 533MHz 134-VFBGA (10x11.5)
  • Kellade sagedus
    533MHz
EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR

EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR

EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB2432B4MA-1DAUT-F-D

EDB2432B4MA-1DAUT-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR

EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB2432BCPE-8D-F-D

EDB2432BCPE-8D-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 168FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB4064B3PB-8D-F-D

EDB4064B3PB-8D-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 216FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB2432BCPA-8D-F-D

EDB2432BCPA-8D-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 168FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR

EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR

EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB2432B4MA-1DAAT-F-D

EDB2432B4MA-1DAAT-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB2432B4MA-1DIT-F-D

EDB2432B4MA-1DIT-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR

EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB1332BDBH-1DAUT-F-D

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR

EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB1332BDPC-1D-F-R TR

EDB1332BDPC-1D-F-R TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB1332BDPA-1D-F-D

EDB1332BDPA-1D-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB1332BDBH-1DAAT-F-D

EDB1332BDBH-1DAAT-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB1332BDBH-1DIT-F-D

EDB1332BDBH-1DIT-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB1316BDBH-1DIT-F-D

EDB1316BDBH-1DIT-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR

EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi