Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > EDB4064B4PB-1DIT-F-R
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2457425

EDB4064B4PB-1DIT-F-R

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$19.28
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    EDB4064B4PB-1DIT-F-R
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Pakkuja seadme pakett
    216-WFBGA (12x12)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    216-WFBGA
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 85°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    4Gb (64M x 64)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (64M x 64) Parallel 533MHz 216-WFBGA (12x12)
  • Kellade sagedus
    533MHz
EDB4432BBBH-1D-F-D

EDB4432BBBH-1D-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB4064B3PP-1D-F-D

EDB4064B3PP-1D-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 240FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR

EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB4064B3PB-8D-F-D

EDB4064B3PB-8D-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 216FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB2432BCPE-8D-F-D

EDB2432BCPE-8D-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 168FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB4064B4PB-1DIT-F-D

EDB4064B4PB-1DIT-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB2432BCPA-8D-F-D

EDB2432BCPA-8D-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 168FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB4432BBBJ-1D-F-D

EDB4432BBBJ-1D-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB4064B4PB-1D-F-R TR

EDB4064B4PB-1D-F-R TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB4064B4PB-1D-F-D

EDB4064B4PB-1D-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR

EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB4432BBBH-1D-F-R TR

EDB4432BBBH-1D-F-R TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB4432BBBJ-1D-F-R

EDB4432BBBJ-1D-F-R

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB4416BBBH-1DIT-F-R

EDB4416BBBH-1DIT-F-R

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR

EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB4416BBBH-1DIT-F-D

EDB4416BBBH-1DIT-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR

EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB4064B3PD-8D-F-D

EDB4064B3PD-8D-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 240FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi